（原标题：芯片突传重磅！台积电和英伟达两大巨头传来新音书）

12月5日，有报谈称，台积电正与英伟达洽谈，在台积电位于好意思国亚利桑那州的新工场坐褥Blackwell东谈主工智能芯片。英伟达于本年3月推出了Blackwell系列芯片，客户对这款芯片的需求很高，现时也曾供不应求。据悉，台积电已在为其好意思国新工场来岁头投产该芯片作念准备。

芯片界限的另外几则音书，也激发市集温煦。日前有听说称，SK海力士将接纳台积电3nm制程坐褥第六代高频宽內存HBM4。另外，还有音书称，马斯克的xAI已订购10.8亿好意思元的英伟达GB200 AI工作器，并得回优先寄托权。此外，12月5日，越南磋议投资部发布声明称，越南总理范明政当日会见到访的英伟达CEO黄仁勋。英伟达同越南政府签署契约，将在该国建树AI研发中心。

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英伟达、台积电最新

据路透社报谈，多位知情东谈主士称，台积电正与英伟达洽谈，商榷在台积电位于好意思国亚利桑那州的新工场坐褥英伟达的Blackwell东谈主工智能芯片。知情东谈主士称，台积电正在为来岁头投产作念准备。对此，台积电和英伟达远离发表挑剔。

Blackwell是英伟达本年3月发布的AI芯片。英伟达默示，生成式AI和加快缱绻界限的客户对其Blackwell芯片的需求很高，现时也曾供不应求。据悉，在为聊天机器东谈主提供谜底等任务中，Blackwell芯片的速率最高要快30倍，同期功耗裁减了25倍。

知情东谈主士称，上述契约一朝敲定，将为台积电亚利桑那州工场争取到另一个客户，该工场磋议于来岁运行批量坐褥。现时，苹果和AMD是台积电亚利桑那州新工场的现存客户。

报谈提到，尽管台积电磋议在亚利桑那州坐褥英伟达Blackwell芯片的前端工艺，但这些芯片仍需要运回中国台湾地区进行封装。这是因为亚利桑那州的门径现时不具备芯片上晶圆基板（CoWoS）封装能力，这是Blackwell芯片所必需的关键时间。台积电所有的CoWoS封装产能现时王人集中在中国台湾地区。

台积电是寰宇上最大的合同芯片制造商，如今正投资数百亿好意思元在好意思国凤凰城建造三座工场。英伟达现时正在全力坐褥Blackwell芯片，且在勤劳扩大来岁的产能，但仍将供不应求。

研究公司Creative Strategies的CEO兼首席分析师Ben Bajarin默示：“与之前的芯片比拟，Blackwell接纳了更先进的封装时间，这就增多了一个勤奋。”Bajarin预测，通盘2025年英伟达的Blackwell芯片王人将处于供不应求的场面。

英伟达是东谈主工智能飞腾的主要受益者，本年以来，该公司的股价也曾高潮近2倍，总市值跨越3.5万亿好意思元，为大家市值第二高的上市公司，仅比排行第一的苹果公司低1000亿好意思元。

现时，英伟达的下一代旗舰AI芯片Blackwell正在积极寄托中。第三季度，包括微软、甲骨文和OpenAI在内的很多终局客户也曾运行接受该公司的下一代东谈主工智能芯片Blackwell。英伟达首创东谈主兼CEO黄仁勋近日默示，Blackwell已“全面参加坐褥”。

另外两大听说

日前，DigiTimes报谈称，马斯克旗下的AI初创公司xAI，已向英伟达订购了价值10.8亿好意思元的GB200 AI工作器，并得回了优先寄托权。预测英伟达将于2025年1月运行寄托这些工作器，由富士康代工坐褥。

报谈称，马斯克胜利磋议了英伟达CEO黄仁勋，商榷了xAI的GB200工作器订单事宜。优先得回英伟达的AI工作器有助于xAI更好地收尾其指标。

黄仁勋和马斯克之间一直有精熟的关系。黄仁勋曾屡次公开赞叹特斯拉，默示“特斯拉在自动驾驶汽车方面遥遥最初。但总有一天，每一辆车王人必须具备自动驾驶能力，这更安全、更浅薄，也更意思意思。”

上个月，有音书称马斯克正在与英伟达商榷对xAI的潜在投资。其时，黄仁勋远离挑剔相干听说，但认同了xAI团队的劳作使命。

本年11月下旬，xAI在完成50亿好意思元的融资后，估值达到约500亿好意思元，在六个月内估值果真翻了一倍。据知情东谈主士败露，最新一轮的投资者包括卡塔尔投资局、Valor Equity Partners、红杉成本和Andreessen Horowitz。近日，还有音书称，马斯克旗下xAI公司磋议最早于12月推出其旗下Grok聊天机器东谈主的孤苦讹诈门径，与OpenAI竞争。

日前，还有音书称，SK海力士将接纳台积电3nm坐褥HBM4。《韩国经济新闻》报谈称，听说韩国存储芯片大厂SK海力士应垂死客户的条件，将于2025年下半年以台积电3nm制程为客户坐褥定制化的第六代高频宽內存HBM4。

报谈称，音书东谈主士败露，SK海力士已决定与台积电相助，最快来岁3月就会发布一款接纳台积电3nm制程坐褥的基础裸片（base die）的垂直堆叠HBM4原型，而主要出货的客户是英伟达。

字据现存的音书来看，SK海力士会将其HBM4的基础裸片交由台积电3nm制程制造，有望比拟之前的听说的5nm制程带来20%～30%的擢升。而三星的HBM4的基础裸片此前听说将会接纳4nm制程制造，这也意味着SK海力士的HBM4可能将会比三星更具上风。

有业内东谈主士近日爆料称，SK海力士之是以改为接纳台积电3nm制程来制造HBM4基础裸片，是为了搪塞三星以4nm来坐褥HBM4基础裸片的声明。成果，三星现时也酌量以3nm坐褥HBM4基础裸片，以致可能选择台积电的3nm制程。

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